Тучкевич Владимир Максимович
Тучкевич Владимир Максимович
29.12.1904 — 24.07.1997

Тучкевич Владимир Максимович — Биография

Влади́мир Макси́мович Тучке́вич (29 декабря 1904 — 24 июля 1997) — советский физик, доктор физико-математических наук, академик Академии наук СССР (1970) и Российской академии наук (1991), директор Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе. Герой Социалистического Труда (1984), лауреат Ленинской премии (1966), Сталинской премии (1942), заслуженный деятель науки и техники РСФСР.

Родился 29 декабря 1904 года в селе Яновцы (Яноуцы) Хотинского уезда Бессарабской губернии (ныне — село Ивановцы Черновицкой области Украины). Учился в реальном училище, затем в школе в городе Уфе.

В ноябре 1919 года, не окончив школу, вступил добровольцем в ряды РККА. Был начальником военно-санитарного поезда, учился в Военно-пехотной школе и одновременно на подготовительных курсах для поступления в вуз. В 1924 году был демобилизован.

В том же году поступил на физико-математический факультет Киевского государственного университета. Будучи студентом, с 1927 года работал в Рентгеновском институте. После окончания университета в 1928 году учился в аспирантуре. Одновременно работал в Метеорологическом институте, организовал и возглавил физическую лабораторию в Харьковском рентгенологическом институте. С 1931 года по 1935 год работал преподавателем в Харьковском электротехническом институте.

С 1935 года жил и работал в городе Ленинграде — сначала в Рентгеновском, а затем в Физико-техническом институтах. Был научным сотрудником, старшим научным сотрудником, ученым секретарём и заведующим лабораторией. В этом же году продолжил преподавательскую деятельность в Ленинградском политехническом институте, сначала был доцентом кафедры физики, затем профессором кафедры экспериментальной физики. В 1939 году защитил кандидатскую диссертацию. Основные научные интересы Тучкевича были связаны с физикой полупроводников и созданием полупроводниковых приборов.

В годы войны работал в группе А. П. Александрова по защите кораблей от магнитных мин на Балтийском и Северном морях. Сотрудничал с И. В. Курчатовым, Б. Е. Годзевичем и с другими знаменитыми учёными.

В первые годы после окончания войны руководил исследованиями, связанными с разделением изотопов тяжелых элементов. С 1949 года работал в Физико-техническом институте АН СССР, возглавлял сектор, где занимался разработкой методов получения чистых монокристаллов германия и кремния, приведших к разработке в 1952 году первых германиевых плоскостных диодов и транзисторов.

В 1951 году Тучкевич выдвинул идею создания полупроводниковых приборов на большие токи и напряжения, руководил разработкой мощных германиевых и кремниевых диодов. В лаборатории Тучкевича младшим научным сотрудником работал будущий лауреат Нобелевской премии по физике — Жорес Алфёров. В 1952 году вступил в КПСС. В 1956 году защитил докторскую диссертацию.

В 1968 году избран членом-корреспондентом, а в 1970 году Тучкеви стал действительным членом Академии наук СССР. С 1967 года по 1986 год был директором Физико-технического института имени Иоффе АН СССР.

Владимир Максимович руководил комплексной программой по широкому использованию силовой полупроводниковой преобразовательной техники в народном хозяйстве страны. Участвовал в разработках, связанных с возможностью контроля и управления конверторами с кислородным дутьем, используемых в производстве черных и цветных металлов. В 1983 году сформировал в Ленинградском политехническом институте кафедру «Физика полупроводниковых приборов» и возглавил ее на общественных началах

Указом Президиума Верховного Совета СССР от 28 декабря 1984 года за большие заслуги в развитии советской науки и техники, подготовке научных кадров и в связи с 80-летием со дня рождения Тучкевичу Владимиру Максимовичу присвоено звания Героя Социалистического Труда.

С 1987 года — заведующий группой Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе, стал советником Президиума РАН, советник при дирекции института, заведующий кафедрой Санкт-Петербургского государственного технического университета.

Наученные работы Тучкевича относятся в основном к физике и технике полупроводников. Его исследования привели к разработке принципов получения германиевых плоскостных диодов и триодов, фотоэлементов и фотодиодов. В лаборатории Тучкевича в Физико-техническом институте были разработаны первые в нашей стране германиевые и кремниевые диоды и триоды. Совместно с Б. М. Вулом и С. Г. Калашниковым заложил основы советской полупроводниковой промышленности, создал новое направление — силовую полупроводниковую технику, разработав силовые полупроводниковые. Автор более 150 научных работ и 18 авторских изобретений.

Неоднократно избирался членом Ленинградского обкома КПСС (1970—1976 годы), членом Ленинградского горкома КПСС (1968—1970 и 1976—1980 годы).

Жил в городе Санкт-Петербурге. Умер 24 июля 1997 года.

Владелец страницы: нет
Поделиться