Фистуль Виктор Ильич — Биография

Виктор Ильич Фистуль (1 мая 1927, Ленинград — 6 июня 2011, Москва) — советский и российский физик, специалист в области физики полупроводников. Доктор физико-математических наук (1967), профессор (1968), академик РАЕН (физика полупроводников; 23.12.1993), заслуженный деятель науки и техники РСФСР, почетный профессор Ханойского технического университета, Международный «Человек года» Кембридж 1997—1998. Дважды лауреат Государственной премии СССР (1975, 1987). Заведующий кафедрой технологии полупроводниковых материалов (ныне материалов микро-, опто-, и наноэлектроники), профессор Московского института тонкой химической технологии с 1977 года.

Родился в г. Ленинграде; окончил Ленинградский политехнический институт в 1949 г., 1949—1952 — на инженерных должностях завода «Уралэлетроаппарат»; 1952—1964 — старший научный сотрудник, заведующий лабораторией НИИ Министерства электронной промышленности; 1964—1977 — старший научный сотрудник, заведующий лабораторией, заведующий отелом Института «Гиредмет»; в 1962—2002 работал в Московском институте тонкой химической технологии, где разработал учебные курсы: «Физика полупроводников», «Экспериментальные методы исследования полупроводников», «Физика и химия твердого тела». Заведующий кафедрой (1977), профессор. Специалист в области физики полупроводников. Подготовил 44 кандидата и 6 докторов наук. Обнаружил явление политропии примесей в полупроводниках (1961), установил основные закономерности встраивания d -электронов примесей переходных металлов в полупроводниках АIIIВV, предложил и разработал подход к описанию кинетики распада полупроводниковых твердых растворов, учитывающий зарядность выпадающих атомов примеси (1969—1971), выявил особенности состояния примесей переходных металлов в полупроводниках (1970—1973). Установил основные отличия распада полупроводниковых твердых растворов от металлических. Открыл неводородоподобность примесей водорода и др. одноэлектронных атомов в полупроводниках, разработал совместно с сотрудниками теорию поведения амфотерных примесей и примесей с d- и f в полупроводниках (1970, 1989). Соавтор открытия глубокого донорного состояния атомов водорода в германии и кремнии (№ 259, 1983). Исследовал новый класс примесей, изовалентных легируемому полупроводнику (1987), разработал метод лазерной имплантации примесей в полупроводники (1983—1986). Участвовал в разработке технологии и организации промышленного производства важнейшего полупроводникового материала — арсенида галлия (1975). Читал лекции в Технологическом институте г. Бургас (Болгария, 1989), в Техническом университете и институте материаловедения в г. Ханой (Вьетнам, 1989, 1996), университете Миннеаполиса (США). Автор и соавтор более 230 научных работ, включая 4 учебных пособия, 16 монографий, 32 изобретения, открытие (диплом № 159). Заслуженный деятель науки и техники России; дважды лауреат Государственной премии СССР; награждён памятной медалью им. акад. Н. С. Курнакова (1985), медалями РАЕН им. П. Л. Капицы (1995), «За заслуги в деле возрождения науки и экономики России» им. Петра I (1996). Похоронен в Москве на Ваганьковском кладбище.