Леговец Курт
Леговец Курт
12.06.1918 — 17.02.2012

Леговец Курт — Биография

Курт Леговец, также Леговек (англ. Kurt Lehovec, родился 12 июля 1918 года в Ледвице (чешск.)русск., Австро-Венгрия, умер 17 февраля 2012 года в Лос-Анджелесе) — чешский, впоследствии американский, физик и изобретатель, исследователь полупроводников. В начале 1959 года Леговец изобрёл и запатентовал технологию изоляции полупроводниковых приборов p-n-переходом (англ.)русск. — одну из трёх фундаментальных технологий, сделавших возможным создание монолитных интегральных схем. Леговец — автор модели пространственного заряда в поверхностных слоях ионных кристаллов (эффект Леговека , 1953), соавтор первой теоретической модели светоизлучающего диода на карбиде кремния (1951), эквивалентной схемы МДП-транзистора (модель Леговека-Слободского, 1961—1964), физической модели МДП-транзистора (модель Леговека-Зулига, 1968—1970). Все эти работы Леговца созданы в США, куда он был вывезен в 1947 году в ходе операции «Скрепка».

Владелец страницы: нет
Поделиться